檢索結果：共15筆資料 檢索策略： "doping".ekeyword (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
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This study presents the photodetector prepared by using Ni-doped ZnO, CNTDoped ZnO, and Ni/CNT-Dope…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法在矽(100) 基板上沉積氧化鋅掺雜鋁薄膜，利用改變基板溫度、鋁摻雜含量來觀察薄膜特性的改變，分別使用200℃、100℃及室溫來成長薄膜。200℃沉積之晶粒大小最大約為9…
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石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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在本篇論文中，提出一個以Mueller matrix為架構的數學模型來評估摻鉺光纖大器(erbium-doped fiber amplifier)的極化模態色散(polarization mode …
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石墨烯為一新興二維碳材料，擁有較矽良好之導電性質，而室溫下具備高電子遷移率，使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳，因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
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本論文研製兩個1064波段波長可調光纖雷射光源，達一定的輸出功率和訊雜比與窄3 dB頻寬的感測光源，利用自製的波長可調光纖光柵，製作波長可調雷射，並利用光纖光柵波長飄移特性做為感測系統，感測應力應變…
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本論文成功使用熱化學氣相沉積法成長六角形排列之奈米碳管束陣列，並將氮原子摻雜於奈米碳管中增強其場電子發射特性。此論文中分別使用二種方法將氮原子摻雜於奈米碳管。(1)利用熱化學氣相沉積法成長奈米碳管時…
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本論文探討分為兩部分，第一部分用微波電漿化學氣相系統(MPCVD)成長奈米鑽石薄膜，利用不同製程氣體比例(氬氣、氮氣、甲烷、氫氣)與氧電漿後處理改變薄膜品質；第二部分探討兩種製程之矽奈米線對pH靈敏…